《GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法》本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
标准号：GB/T 41765-2022
标准名称：GB/T 41765-2022
发布日期：2022-10-14
实施日期：2023-05-01
废止日期：
代替以下标准：
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
中国标准分类：H21
国际标准分类：77.040
起草人：彭同华、佘宗静、赵宁、王波、李素青、娄艳芳、王大军、郭钰、杨建
起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
适用范围：
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
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