超痕量元素检测项目
- 锂元素定量分析，判定高纯基体中碱金属杂质是否影响半导体材料电学性能
- 铍元素定量分析，评估高纯金属中有毒元素杂质的痕量分布水平
- 硼元素定量分析，判定半导体级硅材料中受主杂质浓度限值是否符合ppb级要求
- 钠元素定量分析，评估高纯试剂中碱金属对工艺沾污的潜在影响
- 镁元素定量分析，监控高纯金属基体中过渡族金属杂质的含量水平
- 铝元素定量分析，判定高纯硅中金属杂质对少数载流子寿命的干扰程度
- 钾元素定量分析，评估电子级材料中碱金属杂质的痕量残留限值
- 钙元素定量分析，监控高纯石墨材料中杂质对核反应堆屏蔽性能的影响
- 钛元素定量分析，判定高纯基体中难熔金属杂质的分布状态
- 钒元素定量分析，评估高纯材料中微量杂质对催化活性的干扰
- 铬元素定量分析，判定基体中重金属杂质是否达到电子级纯度限值
- 锰元素定量分析，监控高纯金属中过渡金属杂质的痕量残留水平
- 铁元素定量分析，评估高纯材料中铁元素对磁性能及电学性能的污染程度
- 钴元素定量分析，判定高纯基体中磁性元素杂质是否符合ppb限值要求
- 镍元素定量分析，监控高纯材料中催化活性金属杂质的含量分布
- 铜元素定量分析，评估半导体材料中深能级杂质对器件寿命的影响
- 锌元素定量分析，判定高纯镓等易熔金属中杂质元素的痕量残留水平
- 砷元素定量分析，评估高纯材料中Ⅴ族元素的掺杂分布及纯度限值
- 银元素定量分析，监控高纯铜材料中贵金属杂质的含量水平
- 镉元素定量分析，判定高纯铟等稀散金属中有毒元素杂质的浓度限值
- 锡元素定量分析，评估高纯材料中低熔点金属杂质的痕量分布
- 锑元素定量分析，监控高纯铜中微量杂质对电导率的影响程度
- 碲元素定量分析，判定高纯基体中硫族元素杂质的残留水平
- 铯元素定量分析，评估高纯材料中碱金属杂质的超痕量分布
- 钡元素定量分析，监控高纯试剂中碱土金属杂质的含量水平
- 钨元素定量分析，判定高纯金属中高熔点杂质的痕量残留浓度
- 铂元素定量分析，评估高纯基体中贵金属杂质的分布状态
- 金元素定量分析，监控高纯材料中贵金属元素的超痕量残留限值
- 汞元素定量分析，判定高纯基体中液态金属元素的有害痕量浓度
- 铊元素定量分析，评估高纯铟等稀散金属中有毒元素的污染水平
- 铅元素定量分析，监控高纯材料中重金属杂质对电学性能的干扰程度
- 铋元素定量分析，判定高纯铜中低熔点杂质是否符合超痕量限值要求
- 铀元素定量分析，评估高纯材料中放射性元素杂质的超痕量分布
- 钍元素定量分析，监控高纯试剂中放射性核素杂质的残留浓度
检测范围
- 半导体级高纯硅中超痕量硼元素
- 半导体级高纯硅中超痕量磷元素
- 电子级高纯铝中超痕量钠元素
- 电子级高纯铝中超痕量钾元素
- 高纯铜中超痕量银元素
- 高纯铜中超痕量铋元素
- 高纯铜中超痕量锑元素
- 高纯铜中超痕量碲元素
- 核级高纯锆中超痕量铪元素
- 核级高纯锆中超痕量硼元素
- 高纯钛中超痕量氧元素
- 高纯钛中超痕量氮元素
- 高纯石墨中超痕量钙元素
- 高纯石墨中超痕量铁元素
- 高纯石墨中超痕量钒元素
- 高纯镓中超痕量铅元素
- 高纯镓中超痕量铜元素
- 高纯镓中超痕量锌元素
- 高纯铟中超痕量锡元素
- 高纯铟中超痕量镉元素
- 高纯铟中超痕量铊元素
检测标准（部分）
- GB/T 20475.4-2012(英文版) 煤中有害元素含量分级 第4部分：汞
- GB/T 20475.3-2012(英文版) 煤中有害元素含量分级 第3部分：砷
- GB/T 20475.1-2006(英文版) 煤中有害元素含量分级 第1部分：磷
- GB/T 20475.2-2006(英文版) 煤中有害元素含量分级 第2部分：氯
- 20262479-T-469 超高纯金化学分析方法 第2部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
- 20262478-T-469 超高纯金化学分析方法 第1部分：痕量杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 36590-2018(英文版) 高纯银化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
- GB/T 35996-2018(英文版) 磷矿石和磷精矿中八种元素含量的快速测定 X射线荧光光谱法
- YB/T 6158-2023 金属铬 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
- GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法
- GB/T 42513.10-2025 镍合金化学分析方法 第10部分：痕量元素含量的测定 辉光放电质谱法
- GB/T 25934.3-2010(英文版) 高纯金化学分析方法 第3部分：乙醚萃取分离ICP-AES法 测定杂质元素的含量
- GB/T 32650-2016 电感耦合等离子质谱法检测石英砂中痕量元素
- GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
- YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
- GB/T 25934.1-2010(英文版) 高纯金化学分析方法 第1部分：乙酸乙脂萃取分离ICP-AES法 测定杂质元素的含量
- GB/T 25934.2-2010(英文版) 高纯金化学分析方法 第2部分：ICP-MS-标准加入校正-内标法 测定杂质元素的含量
- GB/T 42518-2023e 锗酸铋(BGO)晶体 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
- GB/T 42518-2023 锗酸铋（BGO）晶体 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
- YS/T 901-2024 高纯钨化学分析方法 痕量元素含量的测定 辉光放电质谱法
检测信息
超痕量元素是一种在物质基体中浓度低于微克每升（μg/L）甚至纳克每升（ng/L）级别的极微量元素，广泛应用于半导体材料纯度评估、高纯金属杂质表征、生物组织金属组学分析及环境微粒溯源等领域。
检测目的在于准确定量目标基体中极低含量的金属或非金属杂质元素，涉及高灵敏度质谱分析、无污染样品前处理及基体干扰消除等核心技术手段。
检测流程涵盖密闭酸消解或碱熔融前处理、标准曲线法或同位素内标法定量，核心参数包括检出限、定量限及加标回收率，通常要求空白值严格控制以避免环境沾污。
常见问题
超痕量元素检测需要多长时间？
通常7-15个工作日，具体时长视样品基体复杂度及前处理消解难易程度而定，难熔金属或复杂无机非金属基体可能需要更长周期。
超痕量元素检测费用大概多少？
根据检测项目数量确定，单项痕量元素分析由于涉及标准物质消耗及高灵敏度仪器机时，基础费用较高，多元素同步测定可降低单元素成本。
超痕量元素检测对样品前处理有什么特殊要求？
必须在万级洁净室内采用密闭酸消解或微波消解进行前处理，全程使用高纯试剂及耐腐蚀器皿，避免环境引入的沾污导致本底值偏高。
总结
超痕量元素检测是对高纯材料中极低浓度杂质元素进行定性与定量的分析过程，覆盖半导体金属、高纯试剂及核级材料等基体的杂质表征。常规检测周期为7-15个工作日，出具的测试数据可满足材料研发及质量评估需求。
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旗下实验室资质
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