标准详情
| 标准名称： | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 |
|---|---|
| 标准号： | GB/T 42905-2023 |
| 中国标准分类号： | H21 |
| 发布日期： | 2023-08-06 |
| 国际标准分类号： | 77.040 |
| 实施日期： | 2024-03-01 |
| 技术归口： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 代替标准： | |
| 批准发布部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 标准分类： | 冶金金属材料试验 |
内容简介
国家标准《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3μm~200μm。
起草单位
安徽长飞先进半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、安徽芯乐半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、
起草人
钮应喜、刘敏、丁雄杰、吴会旺、李京波、张会娟、雷浩东、闫果果、袁松、赵丽霞、仇光寅、李素青、赵跃、彭铁坤、
以上仅展示部分信息，如需检测请联系在线工程师。旗下实验室资质
我司旗下实验室具备CMA资质认定及CNAS认可和ISO认证等证书，具体项目是否在资质认定/实验室认可范围内请与工程师确认。
