标准详情
| 标准名称： | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 |
|---|---|
| 标准号： | GB/T 42902-2023 |
| 中国标准分类号： | H21 |
| 发布日期： | 2023-08-06 |
| 国际标准分类号： | 77.040 |
| 实施日期： | 2024-03-01 |
| 技术归口： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 代替标准： | |
| 批准发布部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 标准分类： | 冶金金属材料试验 |
内容简介
国家标准《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
起草单位
安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、
起草人
钮应喜、袁松、仇光寅、李京波、杨龙、闫果果、张会娟、刘敏、彭铁坤、袁肇耿、
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