标准详情
| 标准名称： | 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法 |
|---|---|
| 标准号： | GB/T 1558-2023 |
| 中国标准分类号： | H17 |
| 发布日期： | 2023-12-28 |
| 国际标准分类号： | 77.040 |
| 实施日期： | 2024-07-01 |
| 技术归口： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 代替标准： | 代替GB/T 1558-2009 |
| 批准发布部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 标准分类： | 冶金金属材料试验 |
内容简介
国家标准《硅中代位碳含量的红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。 本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所、天津中环领先材料技术有限公司、山东有研半导体材料有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、四川永祥新能源有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司、青海芯测科技有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、JianCe、开化县检验检测研究院、亚洲硅业（青海）股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、浙江众晶电子有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、
起草人
李静、 何烜坤、 索开南、 马春喜、 张海英、 孙韫哲、 赵跃、 王军锋、 徐顺波、 李寿琴、 徐岩、 李明达、 杜伟华、 刘立娜、李素青、薛心禄、张雪囡、王彦君、沈益军、李兰兰、邹剑秋、张宝顺、刘国霞、陆勇、皮坤林、
