氮化镓晶片检测项目
- 蓝宝石基氮化镓晶片
- 硅基氮化镓晶片
- 碳化硅基氮化镓晶片
- 2英寸氮化镓晶片
- 4英寸氮化镓晶片
- 6英寸氮化镓晶片
- 8英寸氮化镓晶片
- N型氮化镓晶片
- 半绝缘氮化镓晶片
- 掺杂氮化镓晶片
- 非掺杂氮化镓晶片
- 氮化镓晶圆抛光片
- 氮化镓外延片
- 氮化镓晶锭
- 氮化镓单晶衬底
- 氮化镓多晶薄膜
- 氮化镓基板
- 氮化镓图形化衬底
- 氮化镓基微孔衬底
- 氮化镓基LED晶片
- 氮化镓基功率器件晶片
检测标准(部分)
- SJ 21443-2018 GaN-N型低阻氮化镓单晶片规范
- SJ 21442-2018 GaN-SI型半绝缘氮化镓单晶片规范
- GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
- GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
- GB/T 37466-2019 氮化镓激光剥离设备
- YS/T 1653-2023 氮化镓衬底片
- GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
- GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范
- GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法
- SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
- SJ 21534-2018 微波功率器件用氮化镓外延片规范
- SJ 21444-2018 β-Ga2O3-N型氧化镓单晶片规范
- SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
- GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
- GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
- GB/T 48168-2026 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法
- GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素(镁、镓)含量及分布的测定 二次离子质谱法
- SJ 21626-2021 氮化镓材料元素化学计算比的俄歇能谱测试方法
- GB/T 48170-2026 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南
总结
氮化镓晶片检测涵盖结晶质量、电学性能及表面形貌等核心内容,保障半导体材料可靠性。北检检测中心旗下实验室拥有CMA、CNAS、ISO等检验检测资质。报告可用于项目验收及来料检验,周期通常为7至15个工作日。




