检测方法
- GB/T 30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底
- GB/T 47901-2026 激光器外延芯片用砷化镓衬底
- GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
- SJ 20842-2002 砷化镓表面镓砷比的测试方法
- GB/T 35305-2026 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片
- YS/T 1744-2025 半绝缘砷化镓单晶衬底片
- GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
- GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
- GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
- GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
- GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
- GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
- SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量
- SJ 3242-1989 砷化镓外延片
- SJ 20844A-2018 半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法
- SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法
检测信息
砷化镓是一种重要的化合物半导体材料，主要由镓和砷两种元素化合而成，广泛应用于高频微波器件、光电子器件、激光器以及太阳能电池等核心领域。
对砷化镓进行检测的主要目的在于评估其晶体纯度、电学性能及结构完整性，通常涉及电感耦合等离子体质谱法进行痕量杂质分析，以及霍尔效应测量法评估载流子浓度和迁移率。
检测流程涵盖样品制备、物理参数测量、化学成分分析及数据比对判定，核心参数包括电阻率、位错密度、电子迁移率以及表面形貌特征。
常见问题
砷化镓检测需要多长时间？
砷化镓检测通常需要7-15个工作日，具体时间会根据检测项目的数量及样品制备的复杂程度有所浮动。
砷化镓检测费用大概多少？
砷化镓检测费用根据检测项目数量确定，不同的电学参数、成分分析及结构表征需求对应不同的测试成本。
砷化镓检测报告有什么用途？
砷化镓检测报告可用于质量评估、项目验收、新品研发性能验证及贸易结算，北检(北京)检测技术研究院检测中心确保数据规范严谨。
砷化镓晶片检测对样品有什么特殊要求？
砷化镓晶片送检需保持表面清洁无污染，进行电学测试的样品通常需要制备特定的欧姆接触电极，成分分析样品则需提供满足仪器进样要求的尺寸规格。
总结
砷化镓检测是对化合物半导体材料的纯度、电学性能及结构完整性进行综合评估的过程。北检(北京)检测技术研究院检测中心出具的检测报告可用于材料采购验收及器件研发改进。
相关检测
检测范围
- 砷化镓单晶锭（LEC法，直径2英寸、3英寸、4英寸、6英寸）
- 砷化镓单晶锭（VGF法，直径4英寸、6英寸、8英寸）
- 砷化镓单晶锭（VB法，直径6英寸、8英寸）
- 半绝缘砷化镓晶片（SI-GaAs，直径2-6英寸）
- 低阻砷化镓晶片（n型掺杂，直径3-6英寸）
- p型砷化镓晶片（Zn掺杂，直径2-4英寸）
- 砷化镓外延片（GaAs同质外延，厚度1-10μm）
- 砷化镓液相外延片（LPE-GaAs）
- 砷化镓分子束外延片（MBE-GaAs）
- 砷化镓金属有机化学气相沉积外延片（MOCVD-GaAs）
- 砷化镓激光器芯片（LD芯片，波长808nm、915nm、980nm）
- 砷化镓发光二极管芯片（GaAs LED芯片）
- 砷化镓太阳能电池片（单结GaAs电池、三结GaInP/GaAs/Ge电池）
- 砷化镓霍尔元件及磁敏传感器
- 砷化镓微波器件（GaAs MESFET，栅长0.25μm、0.5μm）
- 砷化镓高电子迁移率晶体管（GaAs HEMT/PHEMT）
- 砷化镓异质结双极晶体管（GaAs HBT）
- 砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC，功率放大器、低噪声放大器）
- 砷化镓射频开关及移相器芯片
- 砷化镓光探测器芯片（GaAs PIN光电二极管）
- 砷化镓衬底抛光片（单面抛光、双面抛光，直径2-8英寸）
- 砷化镓图形化衬底（PSS-GaAs）
- 砷化镓再生晶片及测试陪片（直径2-6英寸）
- 砷化镓粉末、多晶砷化镓原料（纯度6N、7N）
- 砷化镓薄膜材料（GaAs薄膜，厚度100nm-5μm）
检测范围
- 半绝缘砷化镓单晶片
- 低阻砷化镓单晶片
- 垂直梯度凝固法(VGF)砷化镓晶片
- 液封直拉法(LEC)砷化镓晶片
- 2英寸砷化镓晶圆
- 3英寸砷化镓晶圆
- 4英寸砷化镓晶圆
- 6英寸砷化镓晶圆
- N型砷化镓晶片
- P型砷化镓晶片
- 砷化镓外延片
- 砷化镓分子束外延(MBE)片
- 砷化镓金属有机化学气相沉积(MOCVD)片
- 砷化镓太阳能电池片
- 砷化镓单结太阳能电池
- 砷化镓多结太阳能电池
- 砷化镓微波集成电路芯片
- 砷化镓单片微波集成电路(MMIC)
- 砷化镓功率放大器芯片
- 砷化镓低噪声放大器芯片
- 砷化镓射频开关芯片
- 砷化镓混频器芯片
- 砷化镓发光二极管(LED)外延片
- 砷化镓激光二极管(LD)外延片
- 砷化镓红外发光二极管芯片
- 砷化镓垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片
- 砷化镓霍尔元件芯片
- 砷化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)外延片
- 砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延片
- 砷化镓异质结双极晶体管(HBT)外延片
- 砷化镓金属半导体场效应晶体管(MESFET)外延片
- 砷化镓光电探测器芯片
- 砷化镓衬底抛光片
检测范围
- 半绝缘砷化镓单晶片（SI-GaAs）：直径2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸
- 低阻砷化镓单晶片（N型、P型掺杂）
- 垂直梯度凝固法（VGF）砷化镓晶锭
- 液封直拉法（LEC）砷化镓晶锭
- 水平布里奇曼法（HB）砷化镓晶锭
- 砷化镓外延片（GaAs同质外延层）
- 砷化镓衬底片（激光器用、LED用、射频用）
- 砷化镓抛光片（单面抛光、双面抛光）
- 砷化镓腐蚀片及图形衬底片（PSS-GaAs）
- 砷化镓薄膜及异质结构材料（GaAs/Si、GaAs/Ge）
- 砷化镓纳米材料：纳米线、纳米颗粒、量子点
- 砷化镓太阳能电池片及叠层电池（GaInP/GaAs/Ge）
- 砷化镓射频器件：HEMT、HBT、MESFET外延结构
- 砷化镓激光二极管芯片（LD、VCSEL）
- 砷化镓发光二极管外延片（LED结构）
- 砷化镓光探测器材料（PIN、APD结构）
- 砷化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）用外延片
- 砷化镓再生晶片与回收晶片
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- 砷化镓窗口片及光学元件（红外透射片）
- 掺碳砷化镓（GaAs:C）、掺硅砷化镓（GaAs:Si）、掺锌砷化镓（GaAs:Zn）晶片
- 砷化镓量子阱及超晶格结构材料
- 砷化镓晶圆减薄片、激光划片后晶圆
- 砷化镓粉体及溅射靶材（GaAs溅射靶）
检测范围
- 砷化镓单晶锭（LEC法，直径2英寸、3英寸、4英寸、6英寸）检测
- 砷化镓单晶锭（VGF法，直径4英寸、6英寸、8英寸）检测
- 砷化镓单晶锭（VB法，直径6英寸、8英寸）检测
- 半绝缘砷化镓晶圆（SI-GaAs，电阻率≥10⁷ Ω·cm）检测
- N型砷化镓晶圆（掺硅，载流子浓度10¹⁷~10¹⁸ cm⁻³）检测
- P型砷化镓晶圆（掺锌，载流子浓度10¹⁷~10¹⁹ cm⁻³）检测
- 低阻砷化镓晶圆（掺碳，电阻率≤10⁻² Ω·cm）检测
- 砷化镓外延片（GaAs同质外延，厚度1~10 μm）检测
- 砷化镓液相外延片（LPE-GaAs，LED用）检测
- 砷化镓分子束外延片（MBE-GaAs，量子阱结构）检测
- 砷化镓金属有机化学气相沉积外延片（MOCVD-GaAs）检测
- 砷化镓激光器芯片（850 nm、940 nm VCSEL）检测
- 砷化镓发光二极管芯片（红光、红外GaAs LED）检测
- 砷化镓太阳能电池片（单结、多结GaAs叠层电池）检测
- 砷化镓射频器件晶圆（GaAs MESFET、HEMT、HBT）检测
- 砷化镓毫米波器件芯片（Ka波段、Q波段功率放大器）检测
- 砷化镓抛光片（100）、（111）晶向，厚度350~625 μm检测
- 砷化镓腐蚀片/V槽蚀刻片（EJ晶圆）检测
- 砷化镓再生晶圆（Reclaim Wafer）检测
- 砷化镓碎片、边角料及回收料（高纯GaAs废料）检测
- 砷化镓靶材（溅射用GaAs陶瓷靶，纯度99.999%）检测
- 砷化镓粉体/多晶原料（合成GaAs多晶块）检测
- 砷化镓集成电路（GaAs MMIC单片微波集成电路）检测
- 砷化镓光电探测器芯片（PIN、APD结构）检测
检测范围
- 半绝缘砷化镓单晶片（SI-GaAs）2英寸、3英寸、4英寸、6英寸规格检测
- 半导体低阻砷化镓单晶片（n-GaAs）4英寸、6英寸、8英寸规格检测
- 砷化镓外延片（GaAs同质外延片）检测
- 砷化镓液相外延片（LPE-GaAs）检测
- 砷化镓分子束外延片（MBE-GaAs）检测
- 砷化镓金属有机化学气相沉积外延片（MOCVD-GaAs）检测
- 砷化镓衬底片表面质量、厚度、翘曲度检测
- 砷化镓晶片电导率类型、电阻率检测
- 砷化镓单晶位错密度（EPD）检测
- 砷化镓晶片载流子浓度、迁移率检测（霍尔测试）
- 砷化镓晶片掺杂元素（Si、Zn、Te、Cr等）浓度检测
- 砷化镓晶片氧、碳、硼等杂质含量检测
- 砷化镓晶体成分及Ga/As化学配比检测
- 砷化镓晶片表面颗粒、划伤、桔皮缺陷检测
- 砷化镓外延层厚度、组分均匀性检测
- 砷化镓基HEMT结构外延片检测（AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs）
- 砷化镓基HBT结构外延片检测（AlGaAs/GaAs HBT）
- 砷化镓激光器芯片（GaAs LD）外延结构检测
- 砷化镓发光二极管芯片（GaAs LED）外延片检测
- 砷化镓太阳能电池外延片检测
- 砷化镓晶片X射线双晶衍射（XRD）摇摆曲线检测
- 砷化镓晶片光致发光（PL）谱检测
- 砷化镓晶片深能级瞬态谱（DLTS）缺陷检测
- 砷化镓晶片表面粗糙度（AFM）及表面污染检测
- 砷化镓回收料、碎晶料及再生晶圆检测
检测范围
- 半绝缘砷化镓晶圆（SI-GaAs）直径2英寸
- 半绝缘砷化镓晶圆（SI-GaAs）直径3英寸
- 半绝缘砷化镓晶圆（SI-GaAs）直径4英寸
- 半绝缘砷化镓晶圆（SI-GaAs）直径6英寸
- 半绝缘砷化镓晶圆（SI-GaAs）直径8英寸
- 掺硅N型砷化镓晶圆（GaAs:Si）
- 掺锌P型砷化镓晶圆（GaAs:Zn）li>
- 掺碳半绝缘砷化镓晶圆（GaAs:C）
- 垂直梯度凝固法砷化镓单晶（VGF-GaAs）
- 液封直拉法砷化镓单晶（LEC-GaAs）
- 砷化镓外延片（GaAs Epi Wafer）
- 分子束外延砷化镓薄膜（MBE-GaAs）
- 金属有机化学气相沉积砷化镓外延片（MOCVD-GaAs）
- 砷化镓晶锭（GaAs Ingot）
- 砷化镓抛光片（GaAs Prime Wafer）
- 砷化镓粗磨片（GaAs Lapped Wafer）
- 砷化镓衬底（GaAs Substrate）厚度350μm
- 砷化镓衬底（GaAs Substrate）厚度625μm
- 砷化镓衬底（GaAs Substrate）厚度750μm
- 砷化镓激光器芯片（GaAs LD Chip）
- 砷化镓发光二极管芯片（GaAs LED Chip）
- 砷化镓太阳能电池外延片（GaAs Solar Cell Epi）
- 砷化镓高频晶体管外延结构（GaAs HEMT Epi）
- 砷化镓异质结双极型晶体管外延片（GaAs HBT Epi）
检测范围
- 砷化镓芯片
- 砷化镓晶体
- 砷化镓单晶棒
- 砷化镓半导体
- 砷化镓太阳能电池
- 砷化镓电池
- 砷化镓外延片
- 砷化镓衬底
- 砷化镓薄膜
- 硅基砷化镓薄膜
- 半绝缘砷化镓
- 微型砷化镓太阳电池模块
- 柔性砷化镓薄膜太阳电池
- 衬底增强型轻质高效薄膜砷化镓太阳电池
- 砷化镓晶片
- 砷化镓晶元
- 水平法砷化镓单晶及切割片
- 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
- 半绝缘砷化镓单晶
- LED外延芯片用砷化镓衬底
- 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- 砷化镓单晶材料
- 重掺砷化镓单晶
- 砷化镓抛光片
旗下实验室资质
我司旗下实验室具备CMA资质认定及CNAS认可和ISO认证等证书，具体项目是否在资质认定/实验室认可范围内请与工程师确认。
